日前，三星电子宣布将于明年上半年开始使用环栅技术为客户生产3 nm芯片设计它补充说，将在2023年量产第二代3纳米芯片，并在2025年量产2纳米芯片

三星电子将使用砷化镓技术生产3纳米芯片，以提高充当半导体电流控制开关的晶体管的性能和效率的新晶体管结构对于连续工艺迁移至关重要，因为它提高了功率效率，性能和设计灵活性

与基于finfet的5 nm工艺相比，三星首款3 nm GAA工艺节点性能提升30%，功耗降低50%，芯片面积减少35%该公司计划将第三代砷化镓技术应用于将于2025年推出的2纳米工艺

台积电计划继续将FinFET技术应用于3 nm工艺，并从2 nm工艺引入GAA技术根据三星电子的计划，它将成为世界上第一家大规模生产3纳米半导体的代工厂最初，TSMC计划在2022年7月将3纳米工艺应用于英特尔的中央处理器和图形处理器的大规模生产

三星电子做出这个出人意料的决定，是因为它与TSMC的市场份额差距扩大了2021年第二季度，TSMC占全球OEM市场的58%，而三星的份额为14%根据市场研究公司Counterpoint Research的数据，第一季度，TSMC的市场份额为55%，而三星为17%

目前，三星电子和TSMC都在生产基于FinFet技术的5 nm芯片可是，专家表示，TSMC在产量和表现方面占据上风

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