最近几天，南京大学电子科学与工程学院王欣然教授课题组突破了二维半导体单晶制备和异质集成等关键技术。

来自南京大学的消息称，合作团队提出了通过改变蓝宝石表面原子台阶的方向，人工构建原子尺度梯田的方案利用原子平台的定向诱导成核机制，实现了TMDC的定向生长基于这一原理，团队在世界上首次实现了2英寸MoS2单晶薄膜的外延生长

得益于材料质量的提高，基于二硫化钼单晶的场效应晶体管的迁移率和电流密度高达102.6 cm2/Vs和450 A/微米，是国际上报道的综合性能最高的器件之一同时，该技术通用性好，适用于MoSe2等其他材料单晶的制备，为TMDC在集成电路领域的应用奠定了物质基础

在第二项工作中，电子学院合作团队基于多年积累的第三代半导体研究和最新的二维半导体单晶方案，提出了基于MoS2薄膜晶体管驱动电路和单片集成的超高分辨率Micro—LED显示技术方案。

据介绍，合作团队瞄准高分辨率微显示领域，提出了MoS2薄膜晶体管驱动电路与GaN基Micro—LED显示芯片3D单片集成的技术方案团队研发了非传质的低温单片异质集成技术，采用大尺寸二维半导体TFT的近乎无创制造工艺，实现了1270 PPI的高亮度，高分辨率微显示器，可满足未来微显示器，车载显示，可见光通信等跨领域应用

与传统的二维半导体器件工艺相比，该团队开发的新工艺将薄膜晶体管的性能提高了200%以上，缩小了67%的差异，最大驱动电流超过200 A/微米，优于IGZO，LTPS等商用材料，显示出二维半导体材料在显示驱动行业的巨大应用潜力。

在这项工作中，高性能二维半导体TFT和Micro—LED两项新兴技术在国际上首次实现了集成，为Micro—LED显示技术的未来发展提供了新的技术路线。

声明：本网转发此文章，旨在为读者提供更多信息资讯，所涉内容不构成投资、消费建议。文章事实如有疑问，请与有关方核实，文章观点非本网观点，仅供读者参考。